1.4nm，提前實現良率！

據消息人士透露，臺積電的A14節點已提前實現了良率，重要的是，A14相比N2節點的預期性能提升。

據官方公布的細節，A14工藝相比即將量產的2nm（N2）會有非常顯著的提升。在相同功耗下，A14 的速度可以提升大約15%。如果保持速度不變，功耗能下降30%左右。芯片邏輯密度也能提高20%，

這意味著在同樣大小的芯片上，能塞進更多晶體管，性能和能效同時得到優化。

圖源：臺積電

實現這些提升的關鍵在于，臺積電采用了第二代GAAFET納米片晶體管，同時引入了全新的NanoFlex Pro標準單元架構，讓設計更加靈活，也讓性能更上一層樓。

據悉，該工藝預計會在2028年量產，蘋果、AMD、英偉達等客戶被認為是潛在的客戶。

臺積電的A14和16路線有所不同，A16以及部分2nm改進版會采用超級電源軌（SPR）和背面供電網絡（BSPDN），以解決功率密度問題。

A14則選擇了不依賴BSPDN的架構，目標是一些不需要復雜供電網絡、但又非常看重性能和功耗平衡的應用，比如客戶端設備、邊緣計算和部分專業領域。

這樣做雖然增加了一定的成本，但能為這些應用提供最合適的解決方案。

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不過，競爭對手同樣在加速追趕。英特爾計劃再購買兩臺ASML的高NA EUV光刻機，以推進即將推出的14A工藝。

英特爾已經在2024年5月下過一輪訂單，這次追加采購后，幾乎鎖定了ASML今年所有的高NA EUV產能，每臺設備成本高達3.7億美元。

借助這些工具，英特爾希望在14A節點上扳回一城。如果能在2027年前后量產成功，英特爾將在與臺積電和三星的高端工藝競爭中重新獲得籌碼。

圖源：tweaktown

臺積電A14的提前突破，讓它繼續保持技術領先，而英特爾的14A則寄托著“生死一搏”的希望。等到2027-2028年，才是真正的高端工藝終極對決。