成立僅3年，這家公司新型光刻機號稱媲美ASML EUV

近日，美國一家成立僅3年的初創公司Substrate宣稱，已經成功研發出一款性能媲美ASML EUV 的光刻機。

這家公司成立于2022年，團隊規模僅約50人。其工程師表示：“在實現自主芯片制造的過程中，首先要突破的核心難題就是光刻技術。最終的目標是讓臺積電和ASML退出市場。”

據介紹，Substrate采用了一種全新的光刻方式。其設備通過粒子加速器產生短波長 X射線光源，可以形成更細的光束，打印出12nm的圖案，性能接近目前最先進的 High-NA EUV光刻機。

要知道，一臺ASML的High-NA EUV光刻機售價高達4億美元以上，而Substrate的方案目標是實現更低成本、更小體積。

圖源：Jim Wilson/Pool via REUTERS

根據公司披露的數據，這款X射線光刻設備已部分克服了長期困擾行業的技術瓶頸，性能表現如下：

• 可在 2nm、1nm 以及可能更遠節點實現所有層的單次曝光；

• 分辨率與高數值孔徑極紫外光相當；

• 已證實12nm特征；

• 能夠呈現復雜、任意的模式；

• 套刻精度≤1.6 nm，全晶圓CDU≤0.25 nm，線邊緣粗糙度(LER)≤1 nm，LCDU≤1.5 nm；

• 先進晶圓的生產成本將比現有方案降低 50%。

如果這些數據屬實，這項技術有望在性能上接近甚至超越ASML最新EUV設備，同時大幅降低制造成本。

圖源：theedgesingapore

Substrate表示，光刻機只是公司計劃的第一步。下一步目標是建立美國本土晶圓制造能力，進入晶圓代工領域，與臺積電展開直接競爭。

公司希望通過以遠低于現有成本的光刻機，進一步降低芯片制造門檻。

目前，Substrate已獲得超過1億美元融資，公司估值達到10億美元。不過，行業普遍認為，要真正落地量產仍面臨巨大挑戰。

先進工藝研發往往需要數十億美元投入，而建設一座先進晶圓廠的成本高達150億美元以上，并且需要長期的制造經驗與工藝積累。

對于英特爾、三星等巨頭來說，完善這類工藝仍然困難重重，Substrate的目標之路也同樣艱難。

消息數據來源：《路透社》、《彭博社》、theedgesingapore